功耗降低30% 台积电重申2nm工艺2025年量产 功耗降低30% 台积电重申2nm工艺2025年量产 今天的Q2财报会议上,台积电除了公布当季运营数据之外,还谈到了工艺进展,确认3nm工艺今年下半年量产,2nm则会在2025年量产。 目前HPC高性能计算占了台积电营收的重要部分,对先进工艺要求也是很高的, 台积电的3nm工艺今年下半年量产,明年上半年贡献营收,不过初期会拉低一些毛利率,大约2-3个点。 台积电的3nm工艺共有5个衍生版本,包括N3、N3P、N3S、N3X、N3E等等,会陆续在未来两三年内量产。 再往后就是2nm节点了,这是台积电的有一个重大节点,会采用纳米片晶体管(Nanosheet),取代FinFET(鳍式场效应晶体管),也就是进入GAA晶体管时代,不过三星在3nm节点就已经采用这个技术了。 N2相较于N3,在相同功耗下,速度快10~15%;相同速度下,功耗降低25~30%,开启高效能新纪元。 不过密度方面挤牙膏了,相比3nm仅提升了10%,远远达不到摩尔定律密度翻倍的要求,比之前台积电新工艺至少70%的密度提升也差远了。 根据台积电的信息, 2nm工艺将在2024年试产,2025年量产。
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